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Pesquisas e Projetos 
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Engenharia Elétrica  

StatusData InícioSub-área de PesquisaTítulo do ProjetoCoordenador/ OrientadorEquipe
Concluído 01/02/2006 Desenvolvimento de um Gerador para Roda D'água Mário Kawano Vinícius Zacarias Rizzo
Concluído 01/01/0001 SOLUÇÃO DE "EDDY CURRENTS" ATRAVÉS O MÉTODO DOS MOMENTOS UTILIZANDO COMO FUNÇÃO DE EXPANSÃO AS WAVELETS DE HAAR Aldo Artur Belardi Allan David Tirado
Concluído 01/01/0001 Dispositivos Eletrônicos Integrados – IED Avaliação do Comportamento Elétrico de Capacitores MOS em Altas Temperaturas Marcello Bellodi Ana Paula Borges Ziliotto
Concluído 01/01/0001 Dispositivos Eletrônicos Integrados – IED EFEITO DE CORPO EM TRANSISTORES SOI DE PORTA DUPLA VERTICAL Renato Camargo Giacomini Moreno Cattaneo
Concluído 01/01/0001 Dispositivos Eletrônicos Integrados – IED ESTUDO COMPARATIVO DA TENSÃO DE LIMIAR, DO COMPRIMENTO EFETIVO DE CANAL, DA RESISTÊNCIA SÉRIE DE FONTE E DRENO E DE GM/IDSXIDS/(W/L) ENTRE O CYNTHIA E PSG COM TECNOLOGIAS DE CANAL CONVENCIONAL E GRADUAL Salvador Pinillos Gimenez Denis Rodrigo de Oliveira
Concluído 01/01/0001 Dispositivos Eletrônicos Integrados – IED Estudo Comparativo do Comportamento da Corrente de Fuga em Transistor SOI MOSFET Convencional e de Porta Dupla Operando em Altas Temperaturas Marcello Bellodi Alfonso Braz Gutierrez
Concluído 01/01/0001 Dispositivos Eletrônicos Integrados – IED Estudo Comparativo do Ruído Flicker (1/f) entre Amplificadores Operacionais de Transcondutância utilizando Tecnologia Convencional e de Canal Gradual (GC) SOI nMOSFET Salvador Pinillos Gimenez Rogério Laureano Gomes
Concluído 01/01/0001 Dispositivos Eletrônicos Integrados – IED Estudo da Distorção Harmônica em Transistores de Porta Circular usando Tecnologia SOI CMOS Sub-Micrométrica de 0,13 mm Salvador Pinillos Gimenez Leandro Poloni Dantas
Concluído 01/01/0001 Dispositivos Eletrônicos Integrados – IED Estudo da Linearidade em Transistores SOI de Porta Dupla com estrutura de canal gradual Marcelo Antonio Pavanello Rodrigo Trevisoli Dória
Concluído 01/01/0001 Dispositivos Eletrônicos Integrados – IED Estudo da Tensão de Limiar e Inclinação de Sublimiar em Transistores SOI FinFETs de Porta Maria Glória Caño de Andrade
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